丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423514.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423514.htm

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。来源：

美国或无限期豁免三星海力士对华出口管制

美国或无限期豁免三星海力士对华出口管制韩联社星期三（9月27日）引述消息人士报道，美国政府可能最早于本周宣布，无限期豁免韩国三星电子和SK海力士对中国出口美国晶片设备的禁令。三星电子和SK海力士去年获得美国商务部给予的一年期豁免，将于10月11日到期。多名消息人士透露，美国商务部将更新“最终民用厂商”（validatedenduser）名单，显示哪些实体可取得技术出口，以准许三星和SK海力士能持续取得某些美国的晶片制造工具。一旦被列入这项名单，就不需要为个别的出口案件取得许可。三星和SK海力士拒绝评论。报道称，美国商务部一直在与三星和SK海力士进行讨论，考虑到这些公司的未来计划，指定可以引入其中国生产线的设备，因为在未来几年还需要升级设备才能开展业务。美国政府去年对中国实施了一系列贸易限制措施，包括三星和SK海力士在内的韩国企业是在获得美国制裁豁免才可继续在中国运营。

【全球芯片需求疲软，三星、SK海力士第三季度盈利前景黯淡】

【全球芯片需求疲软，三星、SK海力士第三季度盈利前景黯淡】9月25日消息，周日公布的一份行业数据分析显示，由于近期全球存储芯片需求下降，三星电子和SK海力士这两家全球最大的芯片制造商第三季度盈利前景基本上依然黯淡。据韩联社对证券公司在过去一个月内对两家公司的盈利展望进行的分析，三星和SK海力士在6-9月期间的合并营业利润预计分别为12.8万亿韩元（约合90.7亿美元)和2.59万亿韩元。预期中的收益下降主要是由于全球通胀压力不断增加，降低了全球对存储芯片的需求。随着明年第二季度全球芯片行业的复苏，两家公司的盈利将从2023年第四季度开始反弹。