中国造出首台核心部件完全国产化高端晶圆激光切割设备

中国造出首台核心部件完全国产化高端晶圆激光切割设备中国高新技术企业华工科技制造出中国首部核心部件完全国产化的高端晶圆激光切割设备。“中国光谷”微信公众号星期二（7月11日）公布上述消息。华工激光半导体产品总监黄伟说，机械切割的热影响和崩边宽度约20微米，传统激光在10微米左右；此外，切割线宽的减少，意味着晶圆能做到更高的集成度，从而使得半导体制造更经济、更有效率。黄伟称，该设备在半导体激光设备领域攻克多项中国第一。晶圆切割机是一种使用机械或雷射等方式切割芯片的高精度设备，属于半导体封测后段关键环节，切割的品质与效率会直接影响芯片的封装品质和生产成本。据《星岛日报》，该机器广泛用于矽基集成电路、分立器件、光电器件、传感器等多种半导体产品的划切工艺。目前机械切割应用最广泛，占市场80%，主要用于较厚晶圆切割；雷射切割则应用于较薄晶圆切割，市占20%。消息称，华工激光正在研发具备行业领先水平的第三代半导体晶圆激光改质切割设备，计划今年7月推出，同时也正在开发中国自主知识产权的第三代半导体晶圆激光退火设备。

华工科技高端晶圆激光切割设备问世 核心部件100%国产

华工科技高端晶圆激光切割设备问世核心部件100%国产据华工激光半导体产品总监黄伟介绍，晶圆机械切割的热影响和崩边宽度约20微米，传统激光在10微米左右，经一年努力，华工科技半导体晶圆切割技术成功实现升级，热影响降为0，崩边尺寸降至5微米以内，切割线宽可做到10微米以内。据了解，晶圆是芯片的母体，其切割和分离的精度将影响芯片性能和成本，传统的机械切割或激光切割会产生热影响和崩边，从而降低芯片质量。目前，华工科技正在研发第三代半导体晶圆激光改质切割设备和第三代半导体晶圆激光退火设备。资料显示，华工科技成立于1999年，拥有20000多平米的研发、中试基地，在海外设有3个研发中心，与华中科技大学共建有激光加工国家工程研究中心、国家防伪工程研究中心、敏感陶瓷国家重点实验室。通过产学研用纽带，华工科技牵头制定国家“863”计划项目、国家科技支撑计划项目、十三五国家重大科技计划专项等50余项，牵头制定中国激光行业首个国际标准，获得国家科技进步奖3项。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1370217.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1370217.htm

中国联通自主终端5G CPE VN009发布：5G射频核心部件95%国产化

中国联通自主终端5GCPEVN009发布：5G射频核心部件95%国产化具体来看，中国联通VN009支持5GSA&NSA、Wi-Fi6、NFC、MESH和eSIM等功能，并且是首款支持5GN8频段CPE。中国联通VN009采用黑色外观，尺寸与电视机顶盒相近，搭载紫光展锐春藤V5105G芯片，5G射频核心部件的国产化率高达95%，性能上不输国外5G芯片，同时具备高性价比，属于一块百元级产品。据悉，去年11月，工业和信息化部批准中国联通将现用于2G/3G/4G系统的900MHz频段频率资源重耕用于5G系统。900MHz频段具有传播损耗低、覆盖范围广、穿透能力强、网络部署成本低等特点，是全球公认的公众移动通信“黄金”频段，也是早期2G公众移动通信系统使用的主要频段。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1346881.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1346881.htm

中国第三代自主超导量子计算机一核心部件实现完全国产化

中国第三代自主超导量子计算机一核心部件实现完全国产化图为高密度微波互连模组。图片来源：安徽省量子计算工程研究中心量子芯片是“量子计算大脑”，需要在-273.12℃或更低的极低温环境中运行。高密度微波互连模组则是“神经网络”，既要能准确传输信号，又要隔绝热量，为“量子计算大脑”与外部设备之间的量子信息传输建立起高速、稳定的通道。在高密度微波互连模组中，有一根至关重要的“线”——极低温特种高频同轴线缆。这根线是量子计算机信号传输的关键组件，曾一度被国外垄断，导致采购价格高昂。记者了解到，这款国产高密度微波互连模组可为100+位量子芯片提供微波信号传输通道，能够在极低热泄漏环境下实现微波信号的跨温区稳定传输。该模组的成功研发使得量子芯片能够发挥出更强大的计算能力，有助于我国量子计算机更高效运行。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431099.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431099.htm

深圳一企业造出分辨率达0.1纳米的显微测量仪

深圳一企业造出分辨率达0.1纳米的显微测量仪据公司董事长马俊杰介绍，其公司制造的显微测量仪，分辨率已达到了0.1纳米，在半导体领域已经大量使用，能够直接测量芯片。例如，一枚看似光滑的晶圆，在显微测量仪下，表面看上去依然是错落有致，经过测量，高度差仅有6.1纳米，但还是需将它切割成更小的方块，才能使用。此外，他们公司生产的闪测仪，测量速度非常快，他手机上的一块精密结构件，只需要几秒钟，几百个尺寸直接显示出来，而且达到了微米级的精度。除了微小结构件外，他们团队也能测量巨型工业工件，研发的激光跟踪仪能够测量百米尺寸，是唯一同时具有微米级别测量精度，和百米工作空间的高性能光电仪器。据悉，马俊杰毕业于清华大学精密仪器专业，后在研究所工作期间，他发现实验室里的精密仪器全都来自国外，这让他产生了创业做国产几何测量仪的想法。虽然他们公司18年来只做了15台测量仪，但是每一台都极具特色，均能解决工业生产中的测量痛点问题。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1402785.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1402785.htm

首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm