深南电路：已具备 14 层及以下 FC-BGA 封装基板产品批量生产能力

深南电路：已具备14层及以下FC-BGA封装基板产品批量生产能力深南电路5月21日接受机构调研时表示，针对FC-BGA封装基板产品，14层及以下产品公司现已具备批量生产能力，14层以上产品具备样品制造能力。此外，玻璃基板与PCB、有机封装基板在材料特性、生产工艺方面均存在差异，在各自的应用领域具有不同特征。公司对玻璃基板技术保持密切关注与研究，目前不涉及玻璃基板的生产。

隆利科技：玻璃基板材料的应用目前处于研发和专利储备阶段，暂未大规模量产

隆利科技：玻璃基板材料的应用目前处于研发和专利储备阶段，暂未大规模量产5月22日晚间，深圳市隆利科技股份有限公司发布股价异动公告，近期深圳证券交易所互动易平台上投资者对公司业务是否涉及玻璃基板业务比较关注，经公司核实，现说明如下：(1)公司目前主营背光显示模组产品（LED背光显示模组和Mini-LED背光显示模组）。(2)Mini-LED背光显示模组的原材料中会涉及基板材料，基板类型包括FPC、铝基板、PCB板和玻璃基板等，根据终端产品性能规格不同采用不同的基板材料，其中玻璃基板材料的应用目前处于研发和专利储备阶段，暂未大规模量产，未对公司的经营造成重大影响。敬请广大投资者理性投资，注意风险。

英特尔下注玻璃基板：不易弯曲 适合大尺寸封装芯片

英特尔下注玻璃基板：不易弯曲适合大尺寸封装芯片Tadayon提到，使用玻璃材料可以实现一些有趣的特性，能够提高芯片供电效率，并且使得连接带宽从224G提升至448G。随着制造工艺的发展和需求变化，玻璃基板将逐渐出现，并与有机材质基板共存，而不是取代后者。英特尔技术开发副总裁兼封测开发总裁TomRucker表示，在先进封装方面，英特尔已经从SoC（片上系统）过渡到了system-in-package晶圆级封装。这一转变在积极进行中，目前已经有许多产品应用了EMIB（嵌入式多芯片互联桥接）技术，现在正向3D互联转变，支持芯片堆叠，这样可以使得同样的面积内得到更高的性能。不过，随着大尺寸封装的出现，机械方面的挑战也随之而来。英特尔表示，大尺寸封装的基板往往会翘起，这使得装配到主板上会变的很困难，所以如果有更先进的封装技术，可以帮助到客户，同时英特尔会与电路板组装公司合作。英特尔称，预计玻璃基板封装的芯片最早可在2024年年底前生产，连接间距会在将来逐渐缩短，并支持3D堆叠。这种封装技术还可以明显提高良品率，因为如今的大型数据中心GPU、加速器，使用了小芯片封装技术，一片基板上最多可封装多达50颗芯片，只要有一颗封装不良，那么整片就要报废。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1366123.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1366123.htm

5月24日从帝尔激光获悉，作为全球领先的激光精密微纳加工装备制造商，帝尔激光玻璃通孔激光设备已经在小规模生产中得到应用。帝尔激光

5月24日从帝尔激光获悉，作为全球领先的激光精密微纳加工装备制造商，帝尔激光玻璃通孔激光设备已经在小规模生产中得到应用。帝尔激光表示，在先进封装浪潮中，随着对更强大计算需求的增加，半导体电路变得越来越复杂，信号传输速度、功率传输、设计规则和封装基板稳定性的改进至关重要。当前行业主要采用的塑料基板（有机材料基板）或将达到容纳极限，特别是其表面相对粗糙，对超精细电路的固有性能可能产生负面影响；此外，有机材料在芯片制造过程中可能会发生收缩或翘曲，导致芯片产生缺陷。随着更多的硅芯片被封装在塑料基板上，翘曲的风险也会增加。

创益通：112Gbps 规格互连产品已小批量交付

创益通：112Gbps规格互连产品已小批量交付创益通在投资者互动平台表示，中航光电作为公司前五大客户之一，公司主要向其提供通讯互连以及精密结构件类相关产品。公司通讯互连类产品主要包括高速背板连接器组件以及高速射频连接器组件，其中高速背板连接器组件主要应用于5G通信基站机柜、交换机、数据中心等数据存储和传输。公司高速通讯类互连产品传输速率达到56Gbps，112Gbps规格的互连产品也已小批量交付。

剑指台积电：英特尔重注押宝先进封装

剑指台积电：英特尔重注押宝先进封装英特尔封装/组装和测试技术开发资深总监PatStover说，“我在封装领域已有27年经验，透过封装技术延续了摩尔定律”。封装技术的改进，被称为“先进封装”。通俗地说，先进封装，就是将芯片像乐高积木那样堆叠组合，再把这些组合封住固化成一个整体。这是用3D立体方式解决物理存在极限带来的微缩障碍。台积电、英特尔和三星电子等，都在提高这种技术的研发投入。英特尔在亚太区下了封装投资重注，选择的国家是马来西亚。看上，英特尔很想在台积电的封装版图中，掰下一块蛋糕，但就目前的进展看，还没到真正能对台积电形成威胁的那个时刻。2.5D/3D封装的异同点是什么？一般来说，先进封装是指2.5D以上的封装技术。所谓2.5D，就是堆叠部分芯片；3D是实现全部堆叠。目前，苹果（Apple）的M1Ultra芯片，采用的是台积电的InFO封装技术（InFO_Li），为2.5D；英伟达（NVIDIA）AI芯片则用了台积电CoWoS封装堆叠技术，又被称为“3DIC”。但也有技术论文称台积电CoWoS也是2.5D封装技术。台积电SoIC技术则属于3D封装。2.5D/3DIC封装都是新兴的半导体封装技术，都能实现芯片间的高速和高密度互连，从而提高系统的性能和集成度。这两者的区别：首先是连接方式不同。2.5D封装通过TSV硅转接基板连接芯片，将两个或多个有源半导体芯片并排置于硅中介层，以实现多个/组芯片的高密度互连；3DIC封装是将多个芯片/组作垂直堆叠，再通过直接键合技术实现芯片间的互连，特点是芯片组之间连接相对于2.D封装更短，尺寸也更小。其次，制造工艺不同。2.5D封装要制造硅基中介层，还要做微影技术等复杂工艺；3DIC封装的制造工艺是要应用直接键合技术，难度很高。第三，应用场景和性能不同。2.5D封装通常在高性能计算、网络通信、人工智能和移动设备等领域有大规模应用，具有较高的性能和相对更灵活的设计；3DIC封装通常应用于存储器、传感器和医疗器械等领域，集成度较高，封装体积也相对更小。英特尔的2.5D封装技术被称为“EMIB”，自2017年开始在产品中得以应用。与一般2.5D封装技术不同之处是EMIB没有TSV转接基板。所以无需额外工艺，设计也较为简单。英特尔的资料中心处理器SapphireRapid即采用了这项技术。英特尔首代3DIC封装称为“Foveros”，2019年时用于英特尔上一代计算机处理器Lakefield。就技术特色而言，EMIB透过“硅桥（SilliconBridge）”（而非TSV转接基板），从下方连接高带宽存储器（HBM：HighBandwidthMemory）和运算等各种芯片（die）。由于硅桥会埋在基板（substrate）中并连接芯片，达成高带宽存储器和运算芯片的直接连接，因此这样就能加快芯片本身的能效。Foveros采用3D堆叠，将高带宽存储器、运算单元和架构等不同功能的芯片组像汉堡包一样层叠，再用铜线穿透每层芯片组，就像将筷子穿透插入汉堡包，以此达到连接效果。最后，工厂将已完成堆叠的芯片送到封装厂座组装，接合铜线与电路板上的电路。9月即将发布的英特尔新一代CPU“MeteorLake”，即采用了第二代“Foveros”3DIC技术。目前，台积电CoWoS封装技术产能不足。业界有消息称，苹果公司预订了台积电CoWoS封装大部分产能，迫使高通将部分芯片订单转给三星电子。目前，三星电子的3D封装技术被称为“X-Cube”。就这两种封装技术的应用广度和深度看，3D封装技术仍在早期阶段，2.5D封装技术也没有完全放量。有一点很有意思，据PatStover透露，在英特尔IDM2.0战略指引下，即使客户未在晶圆代工厂下单，也可以使用先进封装服务。这说明英特尔开始从“产品导向”转变为“用户导向”，不再强调产品本位思维，转而向着“客户需求定制”商业模式转换。比如，客户可以直接在英特尔完成封装，而没有强制规定客户必须通过英特尔代工厂完成芯片制造的所有流程。海外封测核心重镇在哪？英特尔在9月即将发布的新一代CPU“MeteorLake”，采用了自家的3DIC封装技术“Foveros”，封装环节也会在自家工厂完成。英特尔做先进封装是认真的。8月底，有媒体消息称，英特尔副总裁兼亚太区总经理StevenLong表示，目前英特尔正在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，以强化2.5D/3D封装布局。这将是继英特尔新墨西哥州及奥勒冈厂之后，首座在美国之外采用英特尔Foveros先进封装架构的3D封装厂。根据英特尔的规划，到2025年，英特尔Foveros封装产能将达到当前水平的4倍。届时，槟城新厂将成为英特尔最大的3D封装厂。此外，英特尔还将在马来西亚居林高科技园区兴建另一座封装测试厂。未来英特尔在马来西亚的封测厂将增至6座。在2022年末举行的英特尔On技术创新峰会上，英特尔CEO基辛格表示，英特尔代工服务将开创“系统级代工时代”。不同于仅向客户供应晶圆的传统代工模式，英特尔还提供硅片、封装、软件和芯粒等多项服务。此外，从PatStover的描述中可以看到，英特尔将芯片代工的各个环节都做了“拆/整”组合，以更灵活的方式由客户自行挑选。值得一提的是英特尔Foveros计划推出FoverosDirect，这能实现直接铜对铜键合转变。通过HBI（HybridBonding）技术以实现10微米以下的凸点间距，让不同芯片间实现超过10倍的互联密度提升。这就使得晶圆制造与先进封装之间的界限不再那么泾渭分明，但其对先进封装工厂要求也大幅提升。据英特尔企业副总裁暨亚太日本区（APJ）总经理SteveLong透露，英特尔在亚太区的多国均有投资，但主要集中在日本和马来西亚，尤其以后者的投资额为最高。华尔街见闻查阅英特尔公开投资记录发现，在亚太区，英特尔在中国（成都）有投资组装测试厂；在越难，英特尔也做了组装测试厂的投资。就封装厂而言，英特尔目前有在建和规划中的3座工厂：分别位于美国新墨西哥州（在建）、马来西亚槟城（开建）和马来西亚居林（规划）。目前英特尔官方并未透露Foveros的产能数据。就眼下的情况看，台积电和三星电子不必对英特尔的先进封装产能有过分担忧。因为英特尔在两年前宣布投资35亿美元扩充的新墨西哥州先进封装产能厂，至今仍未完工。至于马来西亚槟城新厂的完工时间，估计要到2024年底和2025年初。未来英特尔在马来西亚将有6座工厂。现有的4座分别为槟城和居林（Kulim）的两座封测厂，以及在居林负责生产测试设备的系统整合和制造服务厂（SIMS）和自制设备厂（KMDSDP）。英特尔芯片组数计工程事业部副总裁SureshKumar表示，拥有设计能力是马来西亚基地的重要特色，同一个专案能和美国奥勒冈州（Oregon）的研发团队轮流交替，可以24小时不间断地投入研发，“马来西亚设计团队已经拥有32年的历史，加上产线近乎完整，在这边设计速度也会较快”。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1381243.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1381243.htm