英特尔推出性能超越英伟达 H100 的 Gaudi 3 AI 加速芯片

英特尔推出性能超越英伟达H100的Gaudi3AI加速芯片英特尔Vision2024大会的第二天，英特尔正式推出了Gaudi3加速芯片。Gaudi3使用台积电5nm工艺制造，热设计功耗为900W，FP8精度下的峰值性能为1835TFLOPS。英特尔称Gaudi3在16个芯片组成的加速集群中以FP8精度训练Llama2-13B时比性能H100高出1.7倍。同时，英特尔预计Gaudi3的推理性能将比H200/H100提高1.3倍到1.5倍，能效比将高2.3倍。英特尔已经向客户提供了样片，并将在第三季度正式批量交付。——

英特尔为 Gaudi 3 AI加速器准备了中国特供版

英特尔为Gaudi3AI加速器准备了中国特供版英特尔日前发布了性能优于H100的AI加速器Gaudi3，其强劲的性能预计无法满足美国政府对于出口芯片的监管要求。但本周，英特尔还发布了Gaudi3人工智能加速器的中国版。其中OAM兼容夹层卡形态的中国版将在6月份推出，编号HL-328，功耗减半至450W，HMB内存、缓存、解码器等完全保留，预计算力将较常规版减半。PCIe扩展卡形态将在9月份出货，中国版编号HL-388，功耗同样减半至450W。通用基板形态的中国版编号为HLB-325，但具体规格和出货时间暂时不详。——

AMD 正式发布 MI300 加速器，性能较英伟达 H100 芯片提高 60%

AMD正式发布MI300加速器，性能较英伟达H100芯片提高60%在美国加州圣何塞举行的AI特别活动中，AMD宣布正式推出其旗舰AIGPU加速器MI300X，并称其性能比英伟达的H100芯片提高了60%。据AMD介绍，新芯片为性能最高的芯片，拥有超过1500亿个晶体管。与英伟达H100芯片相比，AMD新芯片的内存为其2.4倍，内存带宽为其1.6倍，训练性能与H100芯片相当，在运行AI模型方面则比英伟达快得多。——、