上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机

上海微电子据报成功研制出中国首台28纳米光刻机统筹上海张江科学城开发建设的张江集团透露，中国半导体装备制造商上海微电子已成功研制出28纳米光刻机。上海张江（集团）有限公司星期二（12月19日）在集团微信公众号“你好张江”发文称：“作为国内唯—一家掌握光刻机技术的企业，上海微电子已成功研制出28nm光刻机。”中国“钛媒体”称，张江集团公布的这一消息，标志着中国最新28纳米前道光刻机研发进展首次被官方披露。张江集团是一家统筹承担张江科学城开发建设、项目引进等重要功能的国有独资公司，隶属于上海市浦东新区政府监管单位。天眼查信息显示，张江集团是上海微电子的第四大股东。消息传出后，张江集团股价飙升了8%。不过，张江集团之后对文章进行了修改，目前的文章中拿掉了关于28纳米的表述：“作为国内唯一一家掌握光刻机技术的企业，上海微电子致力研制先进的光刻机。”上海微电子（SMEE）成立于2002年，是由中国多家产业集团和投资公司共同投资组建的高科技股份有限公司。公司主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。在美国去年加大力度遏制中国芯片产业发展的背景下，美国商务部将上海微电子列入黑名单。另据彭博社报道，虽然28纳米芯片于2011年首次问世，但上海微电子的最新成果意味着中国可能已将与该领域领先者的差距缩小了几年。此前，中国自己的光刻技术落后荷兰公司约20年。尽管现在的光刻技术更加成熟，28纳米芯片对于智能手机和电动汽车等众多产品仍然至关重要。2023年12月20日3:55PM

俄称自行开发光刻机将于2028年问世 可产出7纳米芯片

俄称自行开发光刻机将于2028年问世可产出7纳米芯片俄罗斯科学院发豪语2028年自行研发的光刻机将问世，可生产出7纳米芯片。据报道，国际制裁对俄罗斯断供后，造成俄国芯片短缺，加以美国、英国和欧盟也祭出多项制裁，几乎所有拥有先进晶圆制造商都停止与俄罗斯实体合作，ARM也无法将他们的技术授权给俄罗斯的芯片设计师。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329993.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1329993.htm

俄罗斯完成制造首台 350 纳米制程的光刻机

俄罗斯完成制造首台350纳米制程的光刻机俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长VasilyShpak指出，该设备可支持生产最终到达350纳米工艺的芯片。Shpak告诉媒体：“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。——

首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm

中国28nm国产光刻机有望年底交付

中国28nm国产光刻机有望年底交付据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。——

佳能希望用更便宜的5纳米纳米压印光刻机挑战ASML

佳能希望用更便宜的5纳米纳米压印光刻机挑战ASML"我们希望在今年或明年......趁着市场热度开始出货。"佳能负责纳米压印光刻技术开发的工业部门负责人竹西宏明（HiroakiTakeishi）说："这是一项非常独特的技术，它将使尖端芯片的生产变得简单而低成本。纳米压印光刻机的半导体节点宽度为5纳米，目标是最终达到2纳米。"Takeishi说，这项技术主要解决了以前的缺陷率问题，但成功与否将取决于能否说服客户将其集成到现有的制造工厂是值得的。有人怀疑佳能是否有能力扰乱由ASML昂贵但复杂的极紫外（EUV）光刻工具引领的市场。然而，如果纳米压印能以更低的成本将产量提高到近90%，它就能开辟出一片天地，尤其是在极紫外光供应难以满足激增的需求的情况下。据称，佳能的纳米压印设备成本仅为ASML设备的40%，而运行功耗却降低了90%。佳能最初专注于用此技术生产3DNAND存储器芯片，而不是复杂的处理器，因此同样需要应对限制对华销售的出口管制。Takeishi表示，佳能将"谨慎关注"制裁风险，但由于可选方案不多。佳能的纳米压印技术经过15年多的研发，如果能成功实现商业化应用，将能改变竞争格局，使新的竞争者能够以更低的成本生产领先的半导体产品。但是，新机器的缺陷率、集成挑战和地缘政治阻力能否让佳能在与芯片制造巨头的竞争中脱颖而出，还有待观察。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1414931.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1414931.htm