台积电2纳米制程预计2025年量产

台积电2纳米制程预计2025年量产据台媒，晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。台积电先进制程进展顺利，3nm将在今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm量产一年后量产，即2023年量产，2nm预计于2025年量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1315115.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1315115.htm

台积电首度揭示两纳米制程 2025年量产

台积电首度揭示两纳米制程2025年量产全球芯片制造商巨头台积电今天首次推出采用纳米片电晶体的下一世代先进两纳米制程技术，成为全球第一家率先提供两纳米制程代工服务的晶圆厂，预计2025年开始量产。综合台湾《联合报》《自由时报》报道，台积电北美技术论坛今天于美国加州圣克拉拉市恢复举办实体论坛，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕。台积电此次在论坛上首度宣布两纳米（N2）技术进展明确时程，指出N2技术自N3大幅往前推进，在相同功耗下，速度增快10％至15％；在相同速度下，功耗也降低25％至30％，开启了高效效能的新纪元。台积电称，N2将采用纳米片电晶体架构，使效能及功耗效率提升一个世代，协助台积客户实现下一代产品的创新。除了行动运算的基本版本，N2技术平台也涵盖高效能版本及完备的小晶片整合解决方案。N2预计于2025年开始量产。台积电总裁魏哲家称，半导体业身处快速变动、高速成长的数字世界，对于运算能力与能源效率的需求较以往增加的更快，为半导体产业开启了前所未有的机会与挑战。在此令人兴奋的转型与成长之际，台积电在技术论坛揭示的创新成果彰显公司的技术领先地位，也代表公司支持客户的承诺。台积电技术论坛主要的技术焦点还包括支援三纳米（N3）及N3E的TSMCFINFLEX技术，公司称，领先业界的N3技术预计于2022年下半年进入量产，并将搭配创新的TSMCFINFLEX架构，提供晶片设计人员更多灵活性。台积电称，TSMCFINFLEX技术提供多样化的标准元件选择，鳍结构支援超高效能，也支援最佳功耗效率与电晶体密度，能精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计，各功能区块采用最优化的鳍结构，支援所需的效能、功耗与面积，同时整合至相同的晶片上。...发布：2022年6月17日3:41PM

【台积电8月30日将举行技术论坛，或披露2纳米制程最新进展】

【台积电8月30日将举行技术论坛，或披露2纳米制程最新进展】8月28日消息，据台湾《经济日报》，台积电预计8月30日在台湾新竹举行技术论坛，将披露最新技术进展和客户成果，外界高度关注台积电是否会释放更多2纳米制程的消息。今年6月，台积电在北美的技术论坛上首度推出采用纳米片电晶体架构的2纳米制程，预计2025年开始量产。在相同功耗下，2纳米的速度较3纳米提高10%至15%；若在相同速度下，功耗降低25%至30%。预计8月30日的技术论坛上，除总裁魏哲家将发表演讲外，也将有主管说明先进制程及特殊制程进展。

台积电有望2025年量产2nm芯片 美国、日本工厂进展神速

台积电有望2025年量产2nm芯片美国、日本工厂进展神速消息称，台积电组建了全新的2nm任务团队，布局前所未有，将同时冲刺2nm在新竹宝山、高雄两座工厂同步在2024年试产、2025年量产。台积电2nm工艺会首次放弃传统的FinFET晶体管工艺，转向GAA全环绕栅极晶体管，相较于N3E工艺同功耗下性能提升10-15％，同性能下功耗下降25-30％，但晶体管密度提升只有10-20％。不过，代价也是非常高的。3nm代工晶圆已经涨价2万美元，2nm预计会进一步达到2.5万美元，折合超过18万元人民币。此外，魏哲家还披露，台积电位于美国亚利桑那州的工厂计划2025年上半年开始量产，位于日本的工厂则有望2024年底开始量产。相关文章:台积电日本第二座工厂计划采用6nm制程工艺总投资2万亿日元...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391047.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391047.htm

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产台积电宣布，2纳米制程在良率和元件效能进展良好，将如期于2025年量产。同时台积电也推出新3纳米技术，其中强化版3纳米制程预计2024年下半年量产。据台湾中央社报道，台积电于美国时间星期三（4月26日）在北美技术论坛揭示最新技术发展情况。其中，台积电宣布2纳米技术采用纳米片电晶体架构，在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于2025年量产。相较于升级版3纳米（N3E）制程技术，2纳米在相同功耗下，速度最快可增加15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，晶片密度增加超过15%。随着3纳米制程已进入量产，N3E制程预计将于2023年量产，台积电将进一步推出更多3纳米技术以满足客户多样化的需求。其中包括支援更佳功耗、效能与密度的强化版3纳米（N3P）预计于2024年下半年进入量产。台积电说，相较于N3E制程，N3P在相同功耗下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5%至10%，晶片密度增加4%。为让客户能够提早采用3纳米技术来设计汽车应用产品，以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程，台积电预计2023年推出N3AE，提供以N3E为基础的汽车制程设计套件（PDK）。

台积电：N3 N2工艺节点不担心被超越 2nm芯片有望2025年量产

台积电：N3N2工艺节点不担心被超越2nm芯片有望2025年量产有投资者提问，台积电先进制程是否担心被竞争对手追上或超越？刘德音表示，台积电从来不低估竞争对手，所以在先进制程方面不遗余力，但不评论竞争对手。以最近N3、N2工艺节点的进展来看，至少不担心这两个节点被超越，但这不代表未来没有这个可能。因此，台积电会更努力去发展更先进的技术。关于台积电最先进的制程工艺，魏哲家表示，目前可以讲，1.4nm一定比2nm好，目前还处于研发阶段。台积电在股东会上还表示，2nm芯片有望2025年量产，客户对2nm芯片的高性能计算和智能手机应用非常感兴趣。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1372071.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1372071.htm