三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产
三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相第二代SF33nm今年投产SF2将于六月亮相三星计划在6月19日举行的2024年超大规模集成电路研讨会（VLSISymposium2024）上披露其SF2制造技术的关键细节。这将是该公司基于全栅极（GAA）多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）的第二个主要工艺节点。与前代产品相比，SF2将采用"独特的外延和集成工艺"，这将使该工艺节点比基于FinFET的传统节点具有更高的性能和更低的漏电率（尽管三星并未透露与之比较的具体节点）。三星表示，SF2使N型和P型窄晶体管的性能分别提高了29%和46%，使宽晶体管的性能分别提高了11%和23%。此外，与FinFET技术相比，它还将晶体管的全局变化减少了26%，并将产品漏电率降低了约50%。该工艺还通过加强与客户的设计技术合作优化(DTCO)为未来的技术进步奠定了基础。在SF2的背景下，三星没有提到的一点是背面电源传输，因此至少目前没有迹象表明三星将在SF2上采用这种下一代电源路由功能。三星表示，SF2的设计基础架构（PDK、EDA工具和授权IP）将于2024年第二季度完成。一旦完成，三星的芯片开发合作伙伴就可以开始为这一生产节点设计产品。同时，三星已经开始与Arm合作，针对SF2工艺共同优化Arm的Cortex内核。SF3：2024年下半年有望实现作为首家推出基于GAAFET节点的工厂，三星一直处于芯片制造的最前沿。但与此同时，这也意味着他们是第一个遇到并解决如此重大的晶体管设计变更所带来的不可避免的磨合问题的工厂。因此，虽然三星的第一代SF3E工艺技术已经投产不到两年时间，但迄今为止公开披露的采用该工艺制造的芯片都是相对较小的加密货币挖矿芯片--这正是在新工艺节点上表现出色的流水线部件。有了这些经验，三星正准备利用GAAFET制作更大更好的芯片。作为其财报公告的一部分，该公司已确认其去年推出的更新SF3节点仍将按计划于2024年下半年投入生产。SF3从一开始就是一个更加成熟的产品，准备用于制造更大的处理器，包括数据中心产品。与它的前身SF4相比，SF3承诺在相同功耗和晶体管数量下性能提升22%，或在相同频率和复杂度下功耗降低34%，逻辑面积减少21%。总体而言，三星对这项技术寄予厚望，因为这一代3nm级技术有望与台积电的N3B和N3E节点相抗衡。SF4：准备进行3D堆叠最后，三星还在准备将其最终FinFET技术节点SF4的一个变体用于3D芯片堆叠。随着晶体管密度的提高不断放缓，三维芯片堆叠已成为不断提高整体芯片性能的一种方法，尤其是在现代多层处理器设计中。有关该节点的详细信息还很有限，但三星似乎正在做出一些改变，以考虑/优化在三维堆叠设计中使用SF4芯片的情况，在这种设计中，芯片需要能够上下层通信。根据该公司的第一季度财务报告，三星预计将在本季度（第二季度）完成堆叠芯片SF4变体的准备工作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429312.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429312.htm
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