三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

NVIDIA Hopper H200将于明年一季度开始采用HBM3e HBM4预计于2026年亮相

NVIDIAHopperH200将于明年一季度开始采用HBM3eHBM4预计于2026年亮相早在9月份就有消息称，三星的HBM产品已通过多项资质审核，获得了NVIDIA的信任，集邦科技目前透露，三星可能会在12月份完成升级流程，明年年初开始陆续有订单流入。除了HBM3之外，下一代HBM3e标准的采用也已步入正轨，因为业内消息人士称，美光、SK海力士和三星等供应商已经启动了HBM3e的出样过程，据说这将是决定性的一步。能否进入商用，结果可能会在2024年某个时候出现。回顾一下，HBM3e预计将在NVIDIA的BlackwellAIGPU中首次亮相，据传该GPU将于2024年第二季度推出，而在性能方面，它将通过采用小芯片设计带来决定性的每瓦性能提升。NVIDIA在2024年为计算客户制定了很多计划，该公司已经发布了H200HopperGPU，预计明年将被大规模采用，随后将推出B100“Blackwell”AIGPU，两者都将基于HBM3e内存技术。除了传统路线外，据传NVIDIA还将针对AI领域推出基于ARM的CPU，这将创造市场多元化格局，同时加剧竞争。英特尔和AMD预计还将推出各自的AI解决方案，其中值得注意的是下一代AMDInstinctGPU和采用HBM3e内存的英特尔GaudiAI加速器。最后，TrendForce给出了我们对HBM4的预期，特别是即将推出的内存标准将在板载芯片配置方面进行全面改造，因为有传言称基本逻辑芯片将采用12纳米工艺来加工晶圆，并将作为3D封装DRAM/GPU背后的工艺，在代工厂和内存供应商之间建立协作环境。HBM4有望标志着下一代计算能力的转变，也可能成为人工智能行业未来突破的关键。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400443.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400443.htm

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E12-Hi、128GBDDR5、64TBSSD和第9代V-NAND二季度量产首先，三星已开始量产其HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货8-Hi堆栈，随后将在第二季度推出12-Hi变体。下一代内存解决方案将在8模块芯片（如AMD的MI300X）上提供每个堆栈36GB的容量，最高可达288GB的产品。据报道，AMD已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供HBM3EDRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在DDR5DRAM方面，三星将于2024年第二季度推出1b(nm)32Gb内存模块，并投入量产。这些内存IC将用于开发高达128GB的模块。三星已经向客户交付了下一代DDR5解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘V-NAND领域推出64TB数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于2024年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第9代V-NAND固态硬盘。第9代V-NAND固态硬盘将采用QLC（四层单元）设计。有报道称，TLCV-NAND（第9代）将于本月开始生产，其传输速度将提高33%，达到3200MT/s。这些固态硬盘将采用最新的PCIeGen5标准。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429185.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429185.htm

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备，每个设备的数据传输速率为9.2GT/s，峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构，计算性能与H100相同。同时，它配备了141GBHBM3E内存，带宽达4.8TB/s，比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β（1-beta）工艺技术生产其HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示："美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

消息称三星将向英伟达独家供应 12 层 HBM3E

消息称三星将向英伟达独家供应12层HBM3E据韩国alphabiz消息，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSENAPPROVED）"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GBHBM3E存储芯片12层堆叠三星电子存储产品规划执行副总裁YongcheolBae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E12H采用先进的热压非导电薄膜（TCNCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM38H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TCNCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM38H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E12H样品，计划于今年上半年量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1421103.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1421103.htm