三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

三星推出HBM3E"Shinebolt"、GDDR7和LPDDR5xCAMM2内存面向人工智能和数据中心的三星HBM3E"Shinebolt"内存基于三星在2016年将业界首个HBM2商业化并为高性能计算（HPC）打开HBM市场的专业技术，该公司今天发布了名为Shinebolt的下一代HBM3EDRAM。三星的Shinebolt将为下一代人工智能应用提供动力，提高总体拥有成本（TCO），加快数据中心的人工智能模型训练和推理。HBM3E每引脚速度高达9.8千兆比特每秒（Gbps），这意味着它可以实现超过1.2太字节每秒（TBps）的传输速率。为了实现更高的层堆叠并改善热特性，三星优化了其不导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。三星的8H和12HHBM3产品目前已进入量产阶段，Shinebolt的样品也已交付给客户。凭借其作为半导体整体解决方案提供商的优势，该公司还计划提供将新一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交服务。适用于下一代游戏显卡的三星GDDR7-32Gbps和32GbDRAM会上重点介绍的其他产品包括业界容量最高的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7以及可显著提升服务器应用存储能力的PBSSD。据三星称，与目前最快的24GbpsGDDR6DRAM相比，GDDR7内存将提高40%的性能和20%的能效，芯片容量最高可达16Gb。首批产品的额定传输速度达32Gbps，比GDDR6内存提高了33%，同时在384位总线接口解决方案上实现了1.5TB/s的带宽。以下是32Gbps引脚速度在多种总线配置中提供的带宽：512位-2048GB/秒（2.0TB/秒）384位-1536GB/秒（1.5TB/秒）320位-1280GB/秒（1.3TB/秒）256位-1024GB/秒（1.0TB/秒）192位-768GB/秒128位-512GB/秒该公司还测试了运行速度高达36Gbps的早期样品，但我们怀疑这些样品是否能大量生产，以满足下一代游戏和人工智能GPU的需求。GDDR7显存的能效也将提高20%，考虑到显存对高端GPU的巨大功耗，这无疑是件好事。据悉，三星GDDR7DRAM将包括专门针对高速工作负载进行优化的技术，还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等注重功耗的应用而设计。在散热方面，新的内存标准将采用具有高导热性的环氧树脂模塑化合物（EMC），可将热阻降低多达70%。早在8月份就有报道称，三星向英伟达（NVIDIA）提供了GDDR7DRAM样品，用于下一代游戏显卡的早期评估。用于下一代CAMM2模块的三星LPDDR5x简化移动设计为了处理数据密集型任务，当今的人工智能技术正朝着在云和边缘设备之间分配和分配工作负载的混合模式发展。因此，三星推出了一系列内存解决方案，支持边缘设备的高性能、大容量、低功耗和小外形尺寸。除了业界首款7.5GbpsLPDDR5XCAMM2（有望真正改变下一代PC和笔记本电脑DRAM市场的游戏规则）之外，该公司还展示了9.6GbpsLPDDR5XDRAM、专用于设备上人工智能的LLWDRAM、下一代通用闪存（UFS）以及用于PC的大容量四级单元（QLC）固态硬盘BM9C1。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391385.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391385.htm

三星、SK 海力士和美光争夺 GDDR7 主导权

三星、SK海力士和美光争夺GDDR7主导权由于NVIDIA预计将在GeForceRTX50BlackwellGPU上使用下一代GDDR7，因此竞争可能会和需求一样激烈。例如，我们可以从过去两年新发布的GDDR7的速度看出这一点。2022年7月，三星电子开发出业界首款32GbpsGDDR7DRAM，每秒可处理高达1.5TB的数据，与GDDR6相比，速度提高了1.4倍，能效提高了20%。2023年2月，三星展示了其首款GDDR7DRAM，引脚速率达到37Gbps。6月4日，美光在2024年的Computex上推出了新的GDDR7，速度高达32Gbps，带宽比上一代提高了60%，能效提高了50%。不久后，SKHynix推出了40Gbps的GDDR7，并在2024年的Computex上再次展出，将上一代产品的带宽提高了一倍，达到每秒128GB，能效提高了40%。GDDR与HBM内存配备GDDR内存的GPU：更常见，更容易找到更便宜，因为内存附在电路板上，而不是芯片上速度足够快，可用于大多数常规用途耗电量更大，效率更低配备HBM内存的GPU：较少，较难找到价格昂贵，通常用于H100等高端产品中用于需要大量数据处理能力的特殊任务效率更高，可同时处理更多数据根据Omdia的研究，预计到今年年底，图形DRAM在整个DRAM市场中的份额将从2022年的7%增至15%。不管我们愿不愿意，人工智能热潮和企业对这些新技术的追捧将在很大程度上决定未来两三年的市场发展。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435963.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435963.htm

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品 GDDR 7大战即将拉开序幕

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品GDDR7大战即将拉开序幕起初，显卡内存兼容CPU内存，主要使用DDR内存，然而鉴于图像处理需求逐年攀升，显卡逐渐转向采用专门为图形处理器（GPU）设计GDDR。由于GDDR具有更高的数据传输速率和带宽，在推动GPU的发展过程中起到了很关键的作用。GDDR技术发展历程历经二十余年发展，GDDR家族已经迭代至第七代，GDDR家族主要有GDDR、GDDR2、GDDR3、GDDR4、GDDR5和GDDR6，以及最新推出的GDDR7。在此，我们先看下前六代的技术和性能上的情况。来源：imec虽然GDDR专为GPU设计，但是最开始的一二代GDDR和GDDR2并没有比DDR提升很多，因此也没得到GPU厂商的大规模采用。所以GDDR的正式被认可和迭代可以说是从GDDR3开始。自GDDR3开始，Nvidia和AMD等主要GPU厂商的参与使得GDDR标准得到了大幅提升，得益于制程工艺的不断进步，GDDR3内存的数据传输速率从最初的1GHz一路攀升至2.5GHz，实现了大幅提升，并保持了长达五年的生命周期，为现代图形处理和计算提供了强大的支持。GDDR4在GDDR3的基础上，进一步提升了数据传输速率和能效。虽然GDDR4在技术上取得了进步，但由于当时NVIDIA和ATI之间对于GDDR4标准意见相左，且存在激烈的竞争关系，NVIDIA没有采用GDDR4，这导致其市场占有率相对有限，成本很高，GDDR4很快就被历史所遗忘。GDDR5大幅提升了带宽和速度，成为2008年后高性能显卡的标配。GDDR5具有更高的时钟频率和数据传输速率，广泛应用于各类图形处理和计算任务中。GDDR5之后，NVIDIA还与美光推出了GDDR5X半代产品，用于NVIDIA高端显卡。而GDDR6则在数据传输速率和能效方面进一步提升，成为现代高端GPU的主流选择。GDDR6X引入了PAM4（PulseAmplitudeModulation4）信号技术，显著提高了数据传输速率。Nvidia在其Ampere架构，如GeForceRTX3080和RTX3090，率先采用了GDDR6X内存。可以看出，从最初的GDDR到最新的GDDR6，GDDR内存经历了多次技术迭代和性能提升。每一代GDDR内存都在数据传输速率、带宽和能效方面不断优化，满足了GPU和图形处理日益增长的需求。如今，它已成为人工智能和大数据应用领域中最受欢迎的内存芯片之一。GDDR7大战打响三星和SK海力士打头阵目前，三星、美光和SK海力士均已开始提供GDDR7内存样品，GDDR7大战即将拉开序幕。三星和SK海力士在今年3月份NVIDIA的GTC大会上均宣布了各家GDDR7的相关指标。两家公司都展示了16Gb（2GB）密度的产品，24Gb（3GB）更高版本没有在这一波浪潮中展现。按照三星的披露，三星GDDR7芯片能够在仅1.1V的DRAM电压下实现32Gbps的速度，这超过了JEDEC的GDDR7规范中的1.2V，这一性能是通过首次应用PAM3信号实现的。再加上三星特有的其他电源管理创新，能源效率提高了20%，将待机功耗降低50%，从而减少整体功耗。三星还在封装基板方面进行了一些创新，它使用了一种导热性高、热阻低的环氧模塑料（EMC）进行GDDR7封装，以确保有源元件（IC本身）不会过热，与GDDR6芯片相比，热阻降低了70%。这些芯片采用512Mx32组合，采用266针FBGA封装。而SK海力士表示它将提供速度高达40Gbps的GDDR7芯片。与其前身GDDR6相比，最新的GDDR7产品提供的最大带宽达到160GB/s，是其上一代产品（GDDR6位80GB/s）的两倍，功耗效率提升了40%，同时，内存密度提升了1.5倍，使得视觉效果也进一步得到增强。独立的四通道的模式，提高了内存并行处理能力，每个通道支持32字节的数据访问。除了四通道模式，GDDR7还支持双通道模式，提供了灵活的配置选项，以适应不同的应用需求和系统架构。SK海力士GDDR7技术指标（来源：SK海力士）SK海力士GDDR7采用与GDDR6相同的板尺寸，大小为12mmx14mm，这意味着在设计和制造过程中，GDDR7可以直接替换现有的GDDR6模块，而无需对电路板进行重新设计。此外，GDDR7内存还配备了专用的内存实现方案和PCB（印刷电路板）设计，以最大化其性能和效率。（来源：SK海力士）SK海力士的16GbGDDR7芯片基本已经准备就绪，将在今年晚些时候批量出货。三星的也在出样品的过程中。虽然尚不清楚谁将成为三星和SK海力士GDDR7内存的首批客户，但是考虑到两家均在NVIDIAGTC2024上进行展示，这也很清楚地表明NVIDIA是其中之一。姗姗来迟的美光2024年6月4日，美光宣布开始为下一代GPU提供GDDR7内存样品，它有28GB/s和32Gb/s两种速度。新一代GDDR7采用美光科技的1β（1-beta）DRAM技术制造，在能效和性能上实现了大幅提升。美光在宣布这一消息时公布了一些诱人的数字。该公司表示，32Gb/sGDDR7提供的内存带宽比GDDR6高出60%，在384位总线上可达到1.5TB/s的内存带宽。这比其前代产品有了显著的飞跃，前代产品在RTX4090等GPU上的384位内存总线上最高可达1TB/s。同时，工作电压降低至1.2V，上一代为1.35V，美光表示，其GDDR7的效率比GDDR6提高了50%，实现节能的方式主要包括分割电压平面、部分设备运行和休眠模式。采用FBGA更薄的封装高度（1.1mm对比1.2mm）和高热导EMC封装，提供65%更好的热阻，这为台式机和笔记本电脑提供了更好的热管理。美光GDDR6与GDDR7特点比较美光GDDR7的这些特性提升使其在游戏、生成式AI、高性能计算（HPC）领域前景广阔。也就意味着GDDR7可能与HBM相竞争。如美光所述，在游戏领域，GDDR7预计在每秒帧数（FPS）方面可提升超过30%，特别是在光线追踪和光栅化工作负载下；在生成式AI应用中，GDDR7提供超过1.5TB/s的高系统带宽，预计可将生成式AI文本到图像生成的响应时间减少多达20%；对于HPC，GDDR7预计能够减少处理时间，实现复杂工作负载（如动画、3D设计、科学仿真和金融建模）的无缝多任务处理。据美光的公告，其GDDR7内存将于2024年下半年直接从美光以及通过精选的全球渠道分销商和经销商发售。NVIDIA使用美光的内存是板上钉钉了，因为此前美光专门为Nvidia制造了GDDR6x，不过在美光GDDR7的公告中也提到了AMD，因此AMD也可能会加入这一行列。GDDR7最大的技术变化2024年3月，JEDEC发布了GDDR7内存标准规范。JEDEC是微电子行业标准制定领域的全球领导者。如下图所示，GDDR7的每引脚带宽最高可达48Gbps，远高于GDDR6和GDDR6X的24Gbps。在256位总线宽度下，GDDR7的总带宽达到1024GB/sec，显著高于GDDR6和GDDR6X的768GB/sec。GDDR7的工作电压为1.2V，比GDDR6和GDDR6X的1.35V更低。在信号技术上，GDDR7采用PAM-3信号技术，而GDDR6X采用PAM-4，GDDR6则使用传统的NRZ信号技术。GDDR7的最大密度达到64Gb，是GDDR6和GDDR6X的两倍。GDDR7采用266FBGA封装，高于GDDR6和GDDR6X的180FBGA。图表展示了GDDR7相对于前几代在带宽、功耗和封装上的显著改进。来源：anandtechGDDR7最大的技术变化在于内存总线从2位不归零（NRZ）编码转换为3位脉冲（-1、0、+1）幅度调制（PAM3）编码。PAM3使GDDR7能够在两个周期内传输3位数据，仅这一变化就让数据传输效率提高了50%。随着向PAM3信号的转变，内存行业有了一条新途径来扩展GDDR设备的性能并推动图形和各种高性能应用的持续发展。之前的GDDR标准使用非归零（NRZ）技术，通过两种信号电平来传输编码为1或0的数据。这种方法在多个GDDR世代中都足够使用，但随着时钟速度和系统复杂性的增加，成为了一大瓶颈。为了解决这一挑战，美光与英伟达推出了采用多级信号技术的创新GDDR6X技术。美光是唯一提供GDDR6X的公司，GDDR6X利用PAM4信号技术，提供了业界领先的>1.1TB/s带宽。美光在GDDR6X方面的成功和经验为下一代使用类似信号方法的GDDR奠定了基础。虽然PAM3每周期传输的比特数量低于GDDR6X上的PAM4，但PAM3提供了50%的更高电压裕度，并且编码复杂度更低，这减...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434065.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434065.htm

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存1秒处理超1TB数据随后SK海力士发布公告称，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货。据介绍，在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据，相当于在1秒内可处理230部全高清（FHD）级电影。在散热方面，SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术，散热性能较上一代产品提高了10%，从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示：“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示，公司积累的HBM业务成功经验，将进一步夯实与客户的关系，并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424206.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424206.htm

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SKHynix的12层HBM3E原型样品2023年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8层HBM3E（第4代）单元的样品，SKHynix也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的HBM产量问题。SK海力士、三星和美光在HBM3E领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的H200AIGPU上。DigiTimesAsia称，SKHynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SKHynix的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的12层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为，SKHynix的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了8层HBM3E样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SKHynix上个月还向英伟达提供了12层HBM3E样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SKHynix将其称为UTV（UniversalTestVehicle）。由于海力士已经完成了8层HBM3E的性能验证，预计12层HBM3E的测试不会花费太多时间"SKHynix副总裁最近透露，公司2024年的HBM产能已经预定一空，领导层已经在为2025年及以后的创新做准备。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422828.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422828.htm