GeForce RTX 50"Blackwell"GPU采用台积电3纳米工艺 支持DisplayPort 2.1
GeForceRTX50"Blackwell"GPU采用台积电3纳米工艺支持DisplayPort2.1如果我们将N5(英伟达的4N优化5nm变体)与最新的3nm工艺技术进行比较,那么3nm工艺技术将使功耗降低25-30%,单位晶体管性能提高10-15%,面积缩小42%,密度提高1.7倍。与目前的5nm节点相比,这些都是相当可观的提升,而5nm节点在现有的GeForceRTX40"AdaLovelace"系列中提供了惊人的每瓦性能(效率),因此我们可以期待NVIDIA在效率方面进一步领先于竞争对手。英伟达面向HPC/AI的"Blackwell"GPU预计也将采用台积电的3nm工艺节点和最新的HBM3e内存解决方案。与此同时,英伟达专注于游戏的显卡将采用最近猜测的GDDR7内存解决方案。这将是时隔多年后,HPC和Gaming系列首次采用相同命名规则的架构。除了工艺节点技术,NVIDIA还有望在其下一代显卡中采用DisplayPort2.1技术,这将使其与AMD的RadeonRX7000GPU看齐,后者自去年起就开始提供该技术。GeForceRTX40GPU没有采用DP2.1技术是一大遗憾,但看起来英伟达将在其即将推出的图形架构中支持最新技术。至于上市时间,NVIDIAGeForceRTX50"Blackwell"图形处理器架构预计将于2024年底或2025年初亮相。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1397977.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1397977.htm
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