台经济部长：台积电从美国获得出口中国大陆芯片豁免延期

台经济部长：台积电从美国获得出口中国大陆芯片豁免延期美国继允许韩国三星电子和SK海力士在中国大陆的工厂进口美国半导体设备后，台积电原本一年的豁免期也得到展延。美国商务部去年10月出台一系列出口管制措施，禁止使用美国技术的半导体设备商出口中国大陆。台积电曾获一年豁免期。台湾经济部长王美花星期五（10月13日）上午说，台积电已得到美国豁免期展延，可以向该公司在中国大陆的工厂供应美国芯片设备。王美花还说，台积电在中国大陆的营运正常。台积电作为国际级公司，会做好营业秘密保护，遵守相关规范——、

台积电向美国申请 无限期豁免在大陆营运

台湾积体电路制造公司（台积电）星期五（10月13日）表示，已向美国申请无限期豁免，允许它为中国大陆的厂房购买美国的晶片（大陆称芯片）制造设备。去年10月7日，美国对中国大陆推出全面的晶片出口限制，阻止大陆获得先进的半导体晶片、技术、设备和人才。在大陆设厂的韩国晶片制造商三星和海力士半导体，以及台积电都获得一年的豁免。为全球供应超过九成10纳米制程以下先进晶片的台积电，在南京的晶圆厂生产16纳米成熟制程晶片，在台湾本土则已发展到领先业界的二纳米制程技术。根据美国给予的豁免，台韩在大陆的厂商虽然无法升级和扩充先进制程，但可继续营运原有的生产制造业务。综合外媒消息，台积电原先只获得一年的豁免延期，这在台湾内部引起美国“大小眼”对待台韩厂商的议论。标签:#台积电#芯片频道:@GodlyNews1投稿:@GodlyNewsBot

台积电回应美国芯片豁免：预计可无限期为内地工厂供应设备

台积电回应美国芯片豁免：预计可无限期为内地工厂供应设备经济部长王美花在周五早些时候表示，美国已经延长了台积电的芯片设备豁免期，该公司可继续向内地工厂供应美国芯片设备，但没有说明豁免期延长了多长时间。台积电今天在一份声明中表示，美国商务部工业和安全局(BIS)已建议台积电申请“经验证最终用户”(VEU)认证项目，该项目将允许该芯片制造商在没有美国单独批准的情况下供应芯片设备。此前，韩国芯片制造商三星和SK海力士就被美国指定为“经验证最终用户”，可无限期向其中国工厂供应美国芯片设备。“我们预计会通过VEU流程获得永久授权。”台积电表示。该公司指出，他们之前并不需要申请VEU地位。台积电还在另外一份声明中称，公司已经获得美国的批准，可在申请VEU地位的同时继续运营南京工厂。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389785.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389785.htm

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关

三星HBM3E没过NVIDIA验证，原因与台积电有关https://technews.tw/2024/05/15/samsung-hbm3e-failed-nvidia-verification/外媒报导，三星至今未通过NVIDIA验证，是卡在台积电。身为NVIDIA资料中心GPU制造和封装厂，台积电也是NVIDIA验证重要参与者，传闻采合作伙伴SK海力士HBM3E验证标准，而三星制程与SK海力士有差异，SK海力士采MR-RUF，三星则是TC-NCF，对参数多少有影响。———2024-03-14

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片预期2026年投产（来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的RadeonR9Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GBHBM3E12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任AllenCheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。”...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427912.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427912.htm

韩媒：台积电、SK海力士组AI晶片联盟 传为反制三星

韩媒：台积电、SK海力士组AI晶片联盟传为反制三星https://www.cna.com.tw/news/afe/202402080201.aspxhttps://pulsenews.co.kr/view.php?year=2024&no=102633（英文）韩国媒体Pulse今天引述业界消息人士说法报导，SK海力士和台积电共同组成OneTeam战略同盟，双方的合作计划包括共同研发第6代高频宽记忆体（HBM），也就是HBM4。