三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行

三星、SK海力士将停止供货DDR3带动市场价格上行业界传出，全球前二大DRAM供货商韩国三星和SK海力士正全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存，下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM，引起市场抢货潮，导致近期DDR3价格飙涨，最高涨幅达20%，且下半年报价还将进一步上涨。业内传出，为了应对高频宽内存和DDR5的发展策略，三星已通知客户将于第二季度末停止生产DDR3；而SK海力士则在去年底就已将位于中国大陆无锡的工厂转向DDR4制程，意味着不再供应DDR3；同时，美光为扩大DDR5和高频宽内存产能，也大幅减少了DDR3的供应量。——

DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20％

DDR3内存时代终结三星、SK海力士停产涨价20％而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年会上涨5-10％。数据显示，HBM内存在2023年的市占率只有2％，2024年可扩大至5％，2025年再次翻番到10％。在这种情况下，原厂停产DDR3、扩产HBM已是必然，直接导致DDR3内存近期价格明显上涨，最高幅度达20％。此举连带也会影响DDR5的供应，再加上存储行业处于上升周期，预测价格也会上涨20％。美光以及南亚等台系厂商将会继续生产DDR3，但美光也可能不会坚持太久。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430973.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1430973.htm

据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但A

据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。(台湾经济日报)

韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂

韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂韩国《首尔经济》1月13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。来源：https://www.jiemian.com/article/10674396.htmlVia洛天投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

通用 DRAM 需求尚未恢复 三星和 SK 海力士相关工厂开工率 80%-90%

通用DRAM需求尚未恢复三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。