SK hynix开发出LPDDR5T 目前最快的面向移动设备的DRAM

SKhynix开发出LPDDR5T目前最快的面向移动设备的DRAMLPDDR5T在JEDEC(联合电子器件工程委员会)设定的1.01至1.12V的超低电压范围内运行,该产品不仅具有最高的速度,而且具有超低的功耗。"SKhynix方面表示,"在2022年11月向市场推出LPDDR5X,即8.5Gbps规格的移动DRAM后,该公司在短短两个月内将技术推向了新的极限。"我们将通过提供满足客户需求的各种存储容量的产品,巩固我们在移动DRAM市场的领导地位"。SKhynix它向客户提供了16千兆字节(GB)多芯片封装的样品,该封装将多个LPDDR5T芯片结合在一起。该封装产品每秒可以处理77GB的数据,相当于在一秒钟内传输15部FHD(全高清)电影。SKhynix计划在今年下半年开始使用1anm(第四代10nm技术)大规模生产LPDDR5T。同时,SKhynix在最新产品中再次整合了HKMG(High-KMetalGate)工艺,使新产品能够提供最好的性能,并期望大幅拉大技术差距的LPDDR5T,在下一代LPDDR6开发之前引领市场。行业预测,随着5G智能手机市场的进一步扩大,对具有先进规格的内存芯片的需求也在增加。在这种趋势下,SKhynix预计LPDDR5T的应用将从智能手机扩展到人工智能(AI)、机器学习和增强/虚拟现实(AR/VR)。"随着LPDDR5T的开发,公司已经满足了客户对超高性能产品的需求,"SKhynix的DRAM产品规划主管SungsooRyu说。"我们将继续致力于技术开发,引领下一代半导体市场,成为IT世界的游戏改变者"。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1340903.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1340903.htm

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SKHynix宣布量产LPDDR5T目前最快的面向移动设备的DRAMSKhynix解释说,LPDDR5T是实现智能手机性能最大化的最佳内存,达到了有史以来的最高速度。该公司还强调,将继续扩大该产品的应用范围,引领移动DRAM领域的世代交替。LPDDR5T16GB封装在电子器件工程联合委员会(JEDEC)规定的1.01至1.12V超低电压范围内工作,每秒可处理77GB数据,相当于在一秒钟内传输15部全高清晰度(FHD)电影。该公司最近开始向全球智能手机制造商Vivo交付产品,Vivo也宣布其最新的智能手机X100和X100Pro将配备SKhynix最新的存储颗粒。这些设备还将配合联发科技(MediaTek)最新的旗舰手机处理器Dimensity9300运行,今年8月,SKhynix确认已经完成了应用联发科技下一代移动AP的性能验证。SK海力士副总裁兼DRAM营销负责人MyoungsooPark表示:"随着人工智能时代的全面到来,智能手机正成为实施On-DeviceAI3技术的重要设备。市场对高性能、大容量移动DRAM的需求日益增长。我们将继续凭借在人工智能内存领域的技术领先优势,引领高端DRAM市场,同时紧跟市场需求。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396463.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1396463.htm

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SK hynix开始出货LPDDR5T内存颗粒 传输速度为9600MT/s

SKhynix开始出货LPDDR5T内存颗粒传输速度为9600MT/sSKhynix的LPDDR5T-9600内存颗粒封装容量为16GB,VDD电压范围为1.01V至1.12V,VDDQ为0.5V。值得注意的是,该VDD电压范围略高于LPDDR5X规格(1.00V至1.1V),这应该不会有什么大的问题,但可能需要对现有芯片进行一些额外的兼容性测试。智能手机和系统芯片制造商会有很大的动力去验证SKhynix的LPDDR5T-9600和美光的LPDDR5X-9600内存,这些模块的峰值带宽为76.8GB/s,比LPDDR5X-8533的68.2GB/s提高了12.5%。到目前为止,SKHynix的LPDDR6T-9600模块已通过高通公司(Qualcomm)的骁龙8Gen3移动SoC认证,以及联发科(MediaTek)的Dimensity9300和一些后续处理器的认证。与此同时,SKHynix证实已开始向vivo交付LPDDR6T-9600器件,vivo将把其用于X100和X100Pro移动应用处理器。根据最新趋势,SKhynix提到,其极速LPDDR5T-9600内存将特别适用于设备上的人工智能应用。当然,对于游戏等图形密集型移动应用来说,更快的DRAM总是受欢迎的。SKhynix副总裁兼DRAM营销主管MyoungsooPark表示:"随着人工智能时代的全面到来,智能手机正成为实现设备上人工智能技术的重要设备。市场对高性能、大容量移动DRAM的需求日益增长。我们将在人工智能内存技术领先的基础上,继续引领高端DRAM市场,同时紧跟市场需求。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396977.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1396977.htm

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SK海力士发布首款采用HKMG工艺的1anm8.5GbpsLPDDR5xDRAM对于LPDDR来说,正如其标准名称LP(LowPower)所暗示的那样,拥有低能耗是其最大的优势。由于移动设备的功率是有限的,因此有必要尽可能地降低功耗以延长电池续航时间。这就是为什么降低功耗与提高运行速度同样重要。LPDDR5X是移动DRAM中第一个集成了HKMG工艺的产品,让产品同时带来了性能的提高和功耗的降低。由于LPDDR5X降低了DRAM的功耗,此类产品功耗的降低后也可以让消费者使用的电力减少。目前LPDDR5X的工作速度为8.5Gbps,比上一代产品快33%。这款DRAM产品主要面向无线电子设备,包括智能手机、笔记本电脑和平板电脑。SKHynix在LPDDR的开发过程中不遗余力,该公司在2021年量产了18GB的LPDDR5,这是当时业内最大的容量,并在一年后推出了最快的LPDDR5X(4266MHz/8.5Gbps),巩固了其在内存半导体领域的领先地位。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1332387.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1332387.htm

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SKhynix开发出1anmDDR5DRAM针对第四代英特尔至强可扩展CPU进行优化由于新的英特尔第四代至强可扩展CPU预计将成为计算行业的下一个中心,由于预期对更高性能的内存模块的需求增加,行业专家认为,新一代内存将实现消费者的需求,并将在更短的时间内成为行业标准。英特尔为其首次支持DDR5的最新处理器验证了1anmDDR5的兼容性,这具有纪念意义。我们将通过已经开始大规模生产的DDR5,积极应对不断增长的服务器市场,从而寻求半导体存储器行业的快速发展。-SKhynix此外,SKhynix和英特尔已经发表了一份涵盖DDR5内存的白皮书,展示了该技术的品质和1anmDDR5的记录性能。在第四代英特尔至强可扩展处理器推出后,该公司正与一些客户密切合作,以便更广泛地采用DDR5,并将加强其在不断增长的服务器市场的领导地位。-SKhynixDRAM产品规划主管SungsooRyu英特尔内存和I/O技术副总裁DimitriosZiakas博士表示:"英特尔一直在与SKhynix、JEDEC和业界辛勤工作,将DDR5从最初的构想变为我们最新处理器技术核心的可扩展、可靠的内存子系统。第四代英特尔至强可扩展处理器利用DDR5增强的内存功能,为我们的数据中心客户提供了大量工作负载和应用所需的带宽、性能和扩展能力。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339067.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1339067.htm

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SKhynix宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存SKhynix计划从明年上半年开始量产HBM3E。据该公司称,最新产品不仅在人工智能内存产品的关键规格--速度方面达到了业界最高标准,而且在容量、散热和用户友好性等所有方面都达到了业界最高标准。在速度方面,HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据,相当于在一秒钟内处理230多部每部5GB大小的全高清电影。此外,通过在最新产品中采用先进的大规模回流模塑底部填充(MR-MUF)尖端技术,该产品的散热性能提高了10%。它还具有向后兼容性,即使是为HBM3准备的系统也可以采用最新产品,而无需修改设计或结构。SKhynixDRAM产品规划主管SungsooRyu表示,该公司通过开发HBM3E,进一步增强了HBM产品阵容的完整性,从而巩固了其市场领导地位,而HBM在人工智能技术的发展中备受瞩目。"通过提高高价值HBM产品的供应份额,SKhynix还将寻求快速的业务转型。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378373.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1378373.htm

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