三星员工平均年薪74.88万元 比台积电高1.5倍

三星员工平均年薪74.88万元比台积电高1.5倍韩国媒体报道，三星电子、SK海力士等韩国主要半导体公司在人力成本和企业税方面落后于全球竞争对手台积电。近日，韩国经济研究所对三星电子和台积电的基础设施等竞争因素进行了分析。三星电子在半导体代工领域与台积电展开竞争，试图在代工领域超越台积电，但未能超越台积电。目前，台积电处于领先地位，市占率53.6%，三星电子占比仅16.3%。根据韩国经济研究的研究，三星电子在税收、投资激励和劳动力成本等方面处于劣势。韩国最高的企业税率为25%，中国台湾为20%左右。韩国政府也认识到这一点，正在准备税制改革计划，将企业最高税率降至22%，但仍高于中国台湾。韩国政府对研发的支持力度也偏弱。台积电15%的研发投入可以税收抵免，40%的封装工艺成本可以获得政府支持，还可以获得半导体人才培养等补贴。三星电子只有2%的研发投资和1%的设备投资可以税收减免。同时，三星电子的人工成本支出相当高。去年，三星电子员工的平均年薪约为1.44亿韩元（74.88万元），比台积电的49.4万元人民币高出25.48万元人民币。虽然三星电子人均工资很高，但提供专业人力的培训不足。中国台湾每年约有10000名专业人员通过半导体部门培养，韩国只有1400人。韩国经济研究院副研究员Kyu-seokLee表示：“降低企业税，提高研发、设施投资减税率，以及支持人员培训和放松管制是当务之急。”...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1304139.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1304139.htm

靠AI彻底翻身？三星电子Q1利润暴增 芯片业务扭亏为盈

靠AI彻底翻身？三星电子Q1利润暴增芯片业务扭亏为盈这一结果突显出，为现代电子产品和人工智能提供动力的存储芯片需求在经历严重低迷后开始反弹。三星电子股价在周二首尔早盘交易中一度涨逾2%。三星正试图扭转因全球经济不确定性引发的长达一年的下滑。2023年，三星电子半导体部门亏损14.9万亿韩元，整体营业利润跌至15年来的最低水平。有迹象表明，市场正在逐步反弹，部分原因是OpenAI的ChatGPT问世后，对用于开发人工智能的芯片需求暴增，由此对高端存储芯片的需求因此大增。也正因为如此，三星芯片部门（DS）一季度实现营业利润1.91万亿韩元，好于预期，也是该部门在连续四个季度亏损后首次恢复盈利。韩国本月公布的贸易数据显示，4月前20天，半导体出货量正引领该国出口额增长，较上年同期增长43%。三星电子在财报中表示，预计本季度和今年下半年芯片需求将保持强劲，这在很大程度上是因为各行各业对生成式人工智能的需求。从中长期来看，三星正试图在快速扩张的高带宽内存（HBM）市场上赶超规模较小的竞争对手SK海力士。后者上周公布了2010年以来最快的营收增长速度，并表示整体内存需求正稳步增长，原因是DRAM市场和NAND市场的价格出现了两位数的上涨。HBM是一款新型的CPU/GPU内存芯片，简而言之就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此，HBM正逐渐成为存储行业巨头实现业绩反转的关键力量。三星电子表示，已开始批量生产最新HBM产品——HBM3E8H（八层堆叠），并计划在第二季度批量生产下一代HBM芯片-HBM3E12H（12层堆叠）。此外，由于公司专注于HBM的生产，预计下半年先进DRAM产品的供应将受到额外限制。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429147.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429147.htm

奥尔特曼、扎克伯格轮番到访 韩国欲跻身全球AI三强

奥尔特曼、扎克伯格轮番到访韩国欲跻身全球AI三强根据韩国政府去年发布的“数字战略”，韩国的目标是到2027年成为仅次于美国和中国的世界第三大人工智能强国。AI合作是重点话题据韩国总统办公室的信息，韩国总统尹锡悦上周四在首尔龙山总统府会见扎克伯格。在持续30分钟的会面中，双方讨论了对开放AI数字生态系统的愿景，以及加强Meta与韩国公司合作的方式。在会面中，尹锡悦表示，韩国拥有全世界排名领先的内存芯片公司，这是人工智能系统的重要组成部分，呼吁双方进行密切合作。同时韩国有着多样化的智能电子产品、可穿戴设备和智能汽车，能够成为应用MetaAI的平台。尹锡悦还向扎克伯格介绍了韩国政府近些年来对元宇宙产业的培育。韩国政府早在2021年就把目光转向元宇宙。就地方政府而言，首尔政府当年就出台政策、制订规划，宣布将在5年内打造“首尔元宇宙平台”。韩国政府更是成立了“元宇宙联盟”，以期在元宇宙政策制定方面走在世界的前沿。尹锡悦还表示若Meta与在硬件领域具有长处的韩国企业共同开发XR头戴设备，可产生巨大协同效应。扎克伯格在会谈中提及对韩国零部件制造业的依赖，特别是三星在半导体制造业中的地位。同时，在韩国期间，扎克伯格还会见了一些韩国在扩展显示设备领域的初创公司，以及三星、LG等企业高管。去年6月以来，OpenAI公司首席执行官奥尔特曼（SamAltman）也曾到访韩国。奥尔特曼当时还表示有兴趣投资韩国初创企业，并与三星电子等主要芯片制造商合作。积极布局近年来韩国政府一直在AI领域积极布局。去年6月，韩国政府出台AI发展新计划。根据该计划，韩国政府将在今年起，于AI全民日常化领域投入9090亿韩元（约合49.8亿元人民币），以提升在AI领域的竞争力。同时，韩国科学技术信息通信部表示，要在2027年前部署1.02万亿韩元（约合54.5亿元人民币）的资金用于人工智能半导体的研究和开发。对此，韩国科学技术信息通信部长李宗昊表示：“人工智能不仅推动了云计算和元数据等数字产业的发展，而且也是大幅提高制造业和物流业等传统产业生产力的关键因素。我们将不遗余力地帮助韩国确保世界一流的人工智能半导体技术，利用我们的内存半导体能力，在2030年前分阶段推进人工智能半导体，开发额外的应用于数据中心，并培养人工智能半导体专家。”韩国产业观察人士金允俊告诉第一财经，韩国在存储芯片市场的主导地位和强大的AI生态系统是韩国在这场全球AI竞赛中所具有的优势，比如三星电子和SK海力士是世界上最大的两家存储芯片制造商，一直在积极投资于AI的研究和开发，“半导体企业及其庞大的产业链是韩国经济的顶梁柱，素有韩国‘产业的大米’之称。如今美国、欧盟、日本等发达经济体纷纷扩大在AI领域的投资规模，作为半导体强国之一的韩国更要当仁不让。”道尔顿投资公司（DaltonInvestments）的高级研究分析师李（JamesLim）也表示：“韩国在存储芯片方面非常强大，而人工智能确实需要大量内存。韩国在存储市场占据主导地位绝对是一个优势。”根据市场跟踪机构Gartner的预测，全球人工智能芯片市场预计到2026年将达到861亿美元，每年增长16%。今年年初，尹锡悦公布了韩国正在打造全球最大规模半导体超级集群的计划，预计总投资规模达622万亿韩元。该计划的重点是在三星电子、SK海力士等私营企业的主导下，以2纳米制程芯片和高带宽存储芯片等尖端产品为中心，到2047年建造总计16个半导体生产设施基地。最新数据显示，得益于AI领域需求增加，刚刚过去的2月，韩国芯片出口额同比大增66.7%，仅次于2017年10月（69.6%）。当同时，韩国政府也表示，要强化AI伦理规范和可信赖性，预防AI技术迅速发展带来的潜在风险和副作用。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422607.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422607.htm

DRAM，走向3D

DRAM，走向3D早前的DRAM可以满足业界需求，但随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也逐渐步入了瓶颈期。从技术角度上看，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集成的晶体管就越多，这意味着一片芯片能实现更高的内存容量。目前DRAM芯片工艺已经突破到了10nm级别。虽然10nm还不是DRAM的最后极限，但多年来随着DRAM制程节点不断缩小，工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰、传感裕度等方面的挑战愈发明显，要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。据TechInsights分析，通过增高电容器减小面积以提高位密度（即进一步减小单位存储单元面积）的方法即将变得不可行。上图显示，半导体行业预计能够在单位存储单元面积达到约10.4E-4µm2前（也就是大约2025年）维持2DDRAM架构。之后，空间不足将成为问题，这将提升对垂直架构，也就是3DDRAM的需求。另一方面，随着数据量爆炸性增长，尤其是云计算、人工智能、大数据分析等领域对高速、大容量、低延迟内存的需求持续攀升，市场对更高密度、更低功耗、更大带宽的DRAM产品有着强烈需求。在市场需求和技术创新的驱动下，3DDRAM成为了业界迫切想突破DRAM工艺更高极限的新路径。3DDRAM，迎来新进展传统的内存单元数组与内存逻辑电路分占两侧的2DDRAM存储相比，3DDRAM是一种将存储单元（Cell）堆叠至逻辑单元上方的新型存储方式，从而可以在单位晶圆面积上实现更高的容量。采用3DDRAM结构可以加宽晶体管之间的间隙，减少漏电流和干扰。3DDRAM技术打破了内存技术的传统范式。这是一种新颖的存储方法，将存储单元堆叠在逻辑单元之上，从而在单位芯片面积内实现更高的容量。3DDRAM的优势不仅在于容量大，其数据访问速度也快。传统的DRAM在读取和写入数据时需要经过复杂的操作流程，而3DDRAM可以直接通过垂直堆叠的存储单元读取和写入数据，极大地提高了访问速度。此外，3DDRAM还具有低功耗、高可靠性等特点，使其在各种应用场景中都具有显著优势。十多年来，业界一直致力于这个方向，特别是受到3DNAND商业和功能成功的推动。迄今为止，许多3DDRAM概念已经提出并申请了专利，一些主要DRAM厂商正在进行晶圆级测试。3DDRAM技术的专利族趋势，2009年-2023年预测走势图能看到，自2019年以来，美国申请的专利数量急剧增加，这或许意味着3DDRAM正在迎来新的进展。行业主要厂商正在逐渐加大对3DDRAM技术的开发投入，并且通过专利保护的方式为未来的市场竞争和技术主导权做准备。这种策略反映出3DDRAM技术的战略重要性和潜在的巨大商业价值。厂商，竞逐3DDRAM三星电子雄心勃勃，加速3DDRAM商业化自2019年以来，三星电子一直在进行3DDRAM的研究，并于同年10月宣布了业界首个12层3D-TSV技术。2021年，三星在其DS部门内建立了下一代工艺开发研究团队，专注3DDRAM领域研究。2022年，三星准备通过逻辑堆叠芯片SAINT-D解决DRAM堆叠问题，该设计旨在将8个HBM3芯片集成在一个巨大的中介层芯片上。图源：三星官网2023年5月，三星电子在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，大规模生产4F2结构DRAM。由于DRAM单元尺寸已达到极限，三星想将4F2应用于10nm级工艺或更先进制程的DRAM。据报道，如果三星的4F2DRAM存储单元结构研究成功，在不改变制程的情况下，裸片面积可比现有6F2DRAM存储单元减少约30%。同年10月，三星电子宣布计划在下一代10nm或更低的DRAM中引入新的3D结构，旨在克服3D垂直结构缩小芯片面积的限制并提高性能，将一颗芯片的容量增加100G以上。今年早些时候，三星电子还在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室，专注于下一代3DDRAM芯片的开发。能看到，三星电子聚焦3DDRAM市场，一直在开发新技术。在近日举行的Memcon2024上，三星电子再次公布了其关于3DDRAM开发的雄心勃勃计划，并明确表示将在2030年前实现这一技术的商业化。图源SemiconductorEngineering三星电子副社长李时宇在会上详细介绍了4F2SquareVCTDRAM及3DDRAM的研发进展，显示出三星在紧凑型高密度内存领域的领先地位。4F2SquareVCTDRAM是一种基于VCT（垂直沟道晶体管）技术的紧凑型DRAM设计。上文提到，4F2SquareVCTDRAM通过垂直堆叠技术，将DRAM单元尺寸比现有的6F2SquareDRAM减少约30%，在提高能效的同时大幅降低了单元面积。然而，实现这一技术并非易事。三星指出，4F2SquareVCTDRAM的开发需要极高的制造精度和更优质的生产材料，还需要解决新材料的应用问题，如氧化沟道材料和铁电体的研发。相较于在DRAM单元结构上向z方向发展的VCTDRAM，三星电子还聚焦在VS-CAT（VerticalStacked-CellArrayTransistor，垂直堆叠单元阵列晶体管）DRAM上，该技术类似3DNAND一样堆叠多层DRAM。除通过堆叠提升容量外，VS-CATDRAM还能降低电流干扰。三星电子预计其将采用存储单元和外围逻辑单元分离的双晶圆结构，因为延续传统的单晶圆设计会带来严重的面积开销。在分别完成存储单元晶圆和逻辑单元晶圆的生产后，需要进行晶圆对晶圆（W2W）混合键合，才能得到VS-CATDRAM成品。据悉，目前三星电子已在内部实现了16层堆叠的VS-CATDRAM。三星电子还在会议上探讨了将BSPDN背面供电技术用于3DDRAM内存的可能性，认为该技术有助于于未来对单个内存bank的精细供电调节。尽管东京电子预测VCTDRAM的商用化要到2027年才能实现，但三星内部对3DDRAM的商业化充满信心，计划在2025年内部发布4F2Square工艺，并逐步推进3DDRAM的研发，预计在2030年之前推出市场。SK海力士：聚焦3DDRAM新一代沟道材料SK海力士也在积极研发3DDRAM。SK海力士表示，3DDRAM可以解决带宽和延迟方面的挑战，并已在2021年开始研究。据韩媒BusinessKorea去年的报道，SK海力士提出了将IGZO作为3DDRAM的新一代沟道材料。IGZO是由铟、镓、氧化锌组成的金属氧化物材料，大致分为非晶质IGZO和晶化IGZO。其中，晶化IGZO是一种物理、化学稳定的材料，在半导体工艺过程中可保持均匀的结构，SK海力士研究的正是这种材料，其最大优势是其低待机功耗，这种特点适合要求长续航时间的DRAM芯晶体管，改善DRAM的刷新特性。据透露，SK海力士将会在今年披露3DDRAM电气特性的相关细节，到时候公司将会明确3DDRAM的发展方向。美光：专利数量遥遥领先3DDRAM领域的技术竞争正在加剧。据TechInsights称，美光在2019年就开始了3DDRAM的研究工作。截止2022年8月，美光已获得了30多项3DDRAM专利。相比之下，美光专利数量是三星和SK海力士这两家韩国芯片制造商的两三倍。在2022年9月接受采访的时候，美光公司确认正在探索3DDARM的方案。美光表示，3DDRAM正在被讨论作为继续扩展DRAM的下一步。为了实现3DDRAM，整个行业都在积极研究，从制造设备的开发、先进的ALD、选择性气相沉积、选择性蚀刻，再到架构的讨论。美光的3DDRAM方案，网上并没有看到太多介绍。不过据Yole强调，美光提交了与三星电子不同的3DDRAM专利申请。美光的方法是在不放置Cell的情况下改变晶体管和电容器的形状。除此以外，AppliedMaterials和LamResearch等全球半导体设备制造商也开始开发与3DDRAM相关的解决方案。NEO：推出3DX-DRAM技术除了存储三巨头之外，还有行业相关公司也在进行3DDRAM的开发。例如，美国存储器技术公司NEOSemiconductor推出了一种名为3DX-DRAM的技术，旨在克服DRAM的容量限制。3DX-DRAM的单元阵列结构类似于3DNANDFlash，采用了FBC（无电容器浮体单元）技术，它可以通过添加层掩模形成垂直结构，从而实现高良率、低成本和显著的密度提升。图源：NE...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433790.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433790.htm