SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成 下半年整体内存供应可能面临不足

SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成下半年整体内存供应可能面临不足SK海力士表示，12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估，如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

3月23日，商务部部长王文涛会见韩国SK海力士首席执行官郭鲁正。双方就SK海力士在华发展及中韩半导体产业链供应链合作等议题进行了

3月23日，商务部部长王文涛会见韩国SK海力士首席执行官郭鲁正。双方就SK海力士在华发展及中韩半导体产业链供应链合作等议题进行了交流。王文涛表示，中国正以高质量发展全面推进中国式现代化，推进高水平对外开放，将释放更多开放发展红利。当前，中国经济持续回升向好，加快发展新质生产力，数字经济发展迅速，电子信息产品消费市场潜力巨大，希望SK海力士继续加大在华投资，深耕中国，共享中国高质量发展带来的增长机遇。

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告https://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-reports-third-quarter-2023-financial-results/SK海力士解释道：“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加，公司业绩在第一季度低点过后持续改善，特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好，与上季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。”顺应这一趋势，SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBMTSV技术的投资。